Circuit echivalent dioda cu cadere redusa de tensiune

Multe diode cu siliciu prezinta, la curenti mari, o tensiune directa de 1 V sau mai mare. Exista unele tipuri a caror cadere de tensiune la curenti de pana la 2-3 A este limitata la 0,5 - 0,6 V, dar chiar si aceasta poate produce pierderi inacceptabil de mari. Circuitul electronic din aceasta schema ofera un posibil remediu.
Catodul tranzistorului T1 se conecteaza la o sursa de tensiune sinusoidala, anodul functioneaza astfel ca punct de referinta. Condensatorul C1 se incarca la valoarea de varf a tensiunii sinusoidale, prin dioda D1, asigurand alimentarea AO chiar si pe timpul semialtemantelor negative.
Intrarea neinversoare a lui IC1 este plasata la jumatate din valoarea de varf a tensiunii sinusoidale, cu ajutorul divizorului de tensiune R1-P1-R3. Datorita divizorului de tensiune R2-R4, potentialul intrarii inversoare a AO va fi mai mare decat cel al intrarii neinversoare numai pe durata semialternantelor pozitive. Aceasta inseamna ca AO va aduce in conductie canalul drena-sursa al lui T1 cand tensiunea catodului tinde sa devina mai mica decat cea a anodului.
Tensiunea directa a diodei realizate cu FET este produsul dintre curentul prin el si rezistenta lui in stare de conductie (0,07 ohmi).
Pozitia lui P1 determina tensiunea anod - catod la care incepe sa creasca tensiunea de iesire a amplificatorului operational, unde se produce intrarea in conductie a lui T1. Semireglabilul se poate regla cu precizie numai cu ajutorul unui osciloscop conectat intre drena si sursa FET-ului. El se va fixa in acea pozitie in care, pentru curentul nominal direct, tensiunea la bornele FET-ului este cat mai mica posibil pe durata semialtemantelor in care FET-ul conduce.
Circuitul consuma un curent nu cu mult mai mare decat curentul de alimentare al lui IC1. Desi tensiunea maxima de alimentare a AO este de 36 V, tensiunea catod-anod, care este tensiunea „inversa" a „diodei", nu trebuie sa depaseasca 20 V, care este tensiunea poarta - sursa maxim admisibila a lui BUZ10.